FZ1000R33HE3BPSA1
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Urmax: 3,3kV; Ic: 1kA
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Kennzeichnung des Herstellers:
FZ1000R33HE3BPSA1
Symbol TME:
FZ1000R33HE3BPSA1
Technische Daten
Hersteller | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Rückspannung max. | 3,3kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 1kA | |
Gehäuse | AG-IHVB130-3 | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 2kA | |
Technologie | TRENCHSTOP™ | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht800 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module INFINEON TECHNOLOGIES,
* FZ1000R33HE3BPSA1Anzahl Stück (Vielfache: 2)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 2 st - 1 678.62 USDBruttopreis für Mengen von 2 st - 1 997.56 USD