FZ2000R33HE4BOSA1
Modul: IGBT; Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter; IGBT x3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Kennzeichnung des Herstellers:
FZ2000R33HE4BOSA1
Symbol TME:
FZ2000R33HE4BOSA1
Technische Daten
Hersteller | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | gemeinsamer Emitter, Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT x3 | |
Rückspannung max. | 3,3kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 2kA | |
Gehäuse | AG-IHVB190-3 | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 4kA | |
Technologie | TRENCHSTOP™ | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht1.2 kg
Zertifikate
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* FZ2000R33HE4BOSA1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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