FZ825R33HE4DBPSA1
Modul: IGBT; Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter; IGBT x2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Kennzeichnung des Herstellers:
FZ825R33HE4DBPSA1
Symbol TME:
FZ825R33HE4DBPSA1
Technische Daten
Hersteller | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | gemeinsamer Emitter, Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT x2 | |
Rückspannung max. | 3,3kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 825A | |
Gehäuse | AG-IHVB130 | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 1,65kA | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht25 g
Zertifikate
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* FZ825R33HE4DBPSA1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 1 908.00 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 2 270.53 USD
Nettopreis für Mengen von 2 st - 1 767.54 USDBruttopreis für Mengen von 2 st - 2 103.37 USD