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Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Topologie	IGBT Halbbrücke
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	1,2kA
Gehäuse	C3 130mm
Elektrische Montage	schraubbar
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	2,4kA
Technologie	Advanced Trench FS IGBT
Mechanische Montage	schraubbar

GD1200HFY120C3S

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V

Technische Daten