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GD15PJX65L2S

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A

Produktfamilie

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
GD15PJX65L2S
Symbol TME:
GD15PJX65L2S

Technische Daten

Hersteller
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Diode/Transistor
Topologie
3-Phasendiodenbrücke, 3-phasige IGBT-Brücke, OE-Ausgang, boost chopper, NTC Thermistor
Rückspannung max.
650V
Kollektor-Emitter-Strom
15A
Gehäuse
L2.2
Elektrische Montage
Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
30A
Technologie
Trench FS IGBT
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht24 g
Zertifikate
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GD15PJX65L2S
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Nettopreis für Mengen von 24 st - 23.69 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 28.19 USD
Anzahl Stück (Vielfache: 1)