GD15PJY120L2S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD15PJY120L2S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD15PJY120L2S
Availability: InStock

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:

GD15PJY120L2S

Symbol TME:

GD15PJY120L2S

Nettopreis für Mengen von 1 st - 37.88 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 45.07 USD

Nettopreis für Mengen von 3 st - 33.54 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 39.91 USD

Nettopreis für Mengen von 12 st - 30.14 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 35.87 USD

Nettopreis für Mengen von 24 st - 28.03 USDBruttopreis für Mengen von 24 st - 33.36 USD

Anzahl Stück (Vielfache: 1)

Verpackungsmethode durch den HerstellerKunststofftablett (Tray) = 24 st

Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	3-Phasendiodenbrücke, 3-phasige IGBT-Brücke, OE-Ausgang, boost chopper, NTC Thermistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	15A
Gehäuse	L2.2
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	30A
Technologie	Advanced Trench FS IGBT
Mechanische Montage	schraubbar