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GD200HFX65C8S

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
GD200HFX65C8S
Symbol TME:
GD200HFX65C8S

Technische Daten

Hersteller
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Topologie
IGBT Halbbrücke
Rückspannung max.
650V
Kollektor-Emitter-Strom
200A
Gehäuse
C8 48mm
Elektrische Montage
schraubbar, Steckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
400A
Technologie
Trench FS IGBT
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht200 g
Zertifikate
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