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Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | gemeinsames Gate, Transistor/Transistor | |
Topologie | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 2,4kA | |
Gehäuse | C3 130mm | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 4,8kA | |
Technologie | Advanced Trench FS IGBT | |
Mechanische Montage | schraubbar |