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Hersteller	GeneSiC SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	Diodenl
Struktur des Halbleiters	doppelt unabhängig
Rückspannung max.	1,2kV
Vorwärtsstrom	30A x2
Gehäuse	SOT227B
Vorwärtsspannung max.	1,5V
Strom im max. Impuls	0,24kA
Elektrische Montage	schraubbar
Vorwärtsstrom max.	60A
Mechanische Montage	schraubbar
Eigenschaften von Halbleiterelementen	MPS
Verpackungs-Art	Tube
Technologie	SiC
Bereitschaftszeit	10ns

GD2X30MPS12N

Modul: Diodenl; doppelt unabhängig; 1,2kV; If: 30Ax2; SOT227B; 60A

Technische Daten