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GD50FFY120C5S

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 50A

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
GD50FFY120C5S
Symbol TME:
GD50FFY120C5S

Technische Daten

Hersteller
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Topologie
3-phasen Brücke IGBT, NTC Thermistor
Rückspannung max.
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
50A
Gehäuse
C5 45mm
Elektrische Montage
Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
100A
Technologie
Advanced Trench FS IGBT
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht200 g
Zertifikate
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GD50FFY120C5S
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