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GD75HFY120C1S

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V

Produktfamilie

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
GD75HFY120C1S
Symbol TME:
GD75HFY120C1S

Technische Daten

Hersteller
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Topologie
IGBT Halbbrücke
Rückspannung max.
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
75A
Gehäuse
C1 34mm
Elektrische Montage
schraubbar, Steckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
150A
Technologie
Advanced Trench FS IGBT
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht150 g
Zertifikate
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GD75HFY120C1S
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