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Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Topologie	Dreiphasen-Wechselrichter TNPC, NTC Thermistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	80A
Gehäuse	F1.2
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	160A
Technologie	Advanced Trench FS Fast IGBT
Mechanische Montage	schraubbar

GD80TLQ120F1S

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Urmax: 1200V; Ic: 80A; F1.2

Technische Daten