IKD04N60RC2ATMA1
Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 8A; 36,6W; DPAK
NEUHEIT
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Kennzeichnung des Herstellers:
IKD04N60RC2ATMA1
Symbol TME:
IKD04N60RC2ATMA1
Technische Daten
Hersteller | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | Field Stop, Trench | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 8A | |
Verlustleistung | 36,6W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 12A | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 24nC | |
Ausschaltzeit | 90ns |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* IKD04N60RC2ATMA1Anzahl Stück (Vielfache: 2 500)
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