IRFBE30LPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,6A; Idm: 16A; 125W
Hersteller: VISHAY
Kennzeichnung des Herstellers:
IRFBE30LPBF
Symbol TME:
IRFBE30LPBF
Technische Daten
Hersteller | VISHAY | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 800V | |
Drainstrom | 2,6A | |
Drainstrom im Impuls | 16A | |
Verlustleistung | 125W | |
Gehäuse | I2PAK, TO262 | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Widerstand im Leitungszustand | 3Ω | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 78nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht2 g
Zertifikate
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