IXA30RG1200DHGLB
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXA30RG1200DHGLB
Symbol TME:
IXA30RG1200DHGLB
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | boost chopper | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 30A | |
Gehäuse | SMPD-B | |
Elektrische Montage | SMT | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 75A | |
Verlustleistung | 147W | |
Technologie | ISOPLUS™, Sonic FRD™ |
Bruttogewicht7.95 g
Zertifikate
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* IXA30RG1200DHGLBAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 6.13 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 7.29 USD
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 20 st