IXBN42N170A
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXBN42N170A
Symbol TME:
IXBN42N170A
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 1,7kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 21A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 265A | ||
Verlustleistung | 313W | ||
Technologie | BiMOSFET™ | ||
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Hochspannung | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.86 g
Zertifikate
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* IXBN42N170AAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 43.62 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 51.91 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 39.22 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 46.67 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 36.55 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 43.49 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st