IXFN110N60P3
Modul; einzelner Transistor; 600V; 90A; SOT227B; schraubbar; 1500W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN110N60P3
Symbol TME:
IXFN110N60P3
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 600V | |
Drainstrom | 90A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 56mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 275A | |
Verlustleistung | 1,5kW | |
Technologie | HiPerFET™, Polar3™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 254nC | |
Bereitschaftszeit | 250ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht35.71 g
Zertifikate
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Anzahl Stück (Vielfache: 100)
Nettopreis für Mengen von 100 st - 32.20 EURBruttopreis für Mengen von 100 st - 38.31 EUR
Verpackungsmethode durch den Hersteller:Rohr = 10 st