IXFN110N85X
Modul; einzelner Transistor; 850V; 110A; SOT227B; schraubbar
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN110N85X
Symbol TME:
IXFN110N85X
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 850V | ||
Drainstrom | 110A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 33mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 220A | ||
Verlustleistung | 1,17kW | ||
Technologie | HiPerFET™, X-Class | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Ladung | 425nC | ||
Bereitschaftszeit | 205ns | ||
Gate-Source Spannung | ±40V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.29 g
Zertifikate
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* IXFN110N85XAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st