IXFN130N90SK
Modul; einzelner Transistor; 900V; 109A; SOT227B; schraubbar; SiC
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN130N90SK
Symbol TME:
IXFN130N90SK
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 900V | |
Drainstrom | 109A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 10mΩ | |
Technologie | SiC | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 68nC | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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* IXFN130N90SKAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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