IXFN140N20P
Modul; einzelner Transistor; 200V; 115A; SOT227B; schraubbar; 680W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN140N20P
Symbol TME:
IXFN140N20P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 200V | |
Drainstrom | 115A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 18mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 280A | |
Verlustleistung | 680W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 240nC | |
Bereitschaftszeit | 150ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.08 g
Zertifikate
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* IXFN140N20PAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st