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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	300V
Drainstrom	110A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	24mΩ
Drainstrom im Impuls	300A
Verlustleistung	700W
Technologie	HiPerFET™, Polar™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	185nC
Bereitschaftszeit	200ns
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN140N30P

Modul; einzelner Transistor; 300V; 110A; SOT227B; schraubbar; 700W

Technische Daten