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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	650V
Drainstrom	145A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	17mΩ
Drainstrom im Impuls	300A
Verlustleistung	1,04kW
Technologie	HiPerFET™, X2-Class
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	355nC
Bereitschaftszeit	190ns
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN150N65X2

Modul; einzelner Transistor; 650V; 145A; SOT227B; schraubbar

Technische Daten