IXFN170N25X3
Modul; einzelner Transistor; 250V; 146A; SOT227B; schraubbar; 390W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN170N25X3
Symbol TME:
IXFN170N25X3
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 250V | |
Drainstrom | 146A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 7,4mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 400A | |
Verlustleistung | 390W | |
Technologie | HiPerFET™, X3-Class | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 0,19µC | |
Bereitschaftszeit | 135ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.14 g
Zertifikate
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* IXFN170N25X3Anzahl Stück (Vielfache: 300)
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Nettopreis für Mengen von 300 st - 28.29 USDBruttopreis für Mengen von 300 st - 33.67 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st