IXFN170N30P
Modul; einzelner Transistor; 300V; 138A; SOT227B; schraubbar; 890W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN170N30P
Symbol TME:
IXFN170N30P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 300V | ||
Drainstrom | 138A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 18mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 500A | ||
Verlustleistung | 890W | ||
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Ladung | 258nC | ||
Bereitschaftszeit | 200ns | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht29.8 g
Zertifikate
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* IXFN170N30PAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st