IXFN180N25T
Modul; einzelner Transistor; 250V; 168A; SOT227B; schraubbar; 900W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN180N25T
Symbol TME:
IXFN180N25T
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 250V | |
Drainstrom | 168A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 12,9mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 500A | |
Verlustleistung | 900W | |
Technologie | GigaMOS™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 364nC | |
Bereitschaftszeit | 200ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.15 g
Zertifikate
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* IXFN180N25TAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st