IXFN200N10P
Modul; einzelner Transistor; 100V; 200A; SOT227B; schraubbar; 680W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN200N10P
Symbol TME:
IXFN200N10P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 100V | |
Drainstrom | 200A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 7,5mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 400A | |
Verlustleistung | 680W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 235nC | |
Bereitschaftszeit | 150ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.04 g
Zertifikate
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* IXFN200N10PAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st