IXFN210N30X3
Modul; einzelner Transistor; 300V; 210A; SOT227B; schraubbar; 695W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN210N30X3
Symbol TME:
IXFN210N30X3
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 300V | |
Drainstrom | 210A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 4,6mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 650A | |
Verlustleistung | 695W | |
Technologie | HiPerFET™, X3-Class | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 375nC | |
Bereitschaftszeit | 190ns | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.14 g
Zertifikate
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* IXFN210N30X3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st