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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	1,2kV
Drainstrom	21,5A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	80mΩ
Technologie	SiC
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	160nC
Eigenschaften von Halbleiterelementen	Kelvin Terminal
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN27N120SK

Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 21,5A; SOT227B; schraubbar

Technische Daten