IXFN300N20X3
Modul; einzelner Transistor; 200V; 300A; SOT227B; schraubbar; 695W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN300N20X3
Symbol TME:
IXFN300N20X3
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 200V | |
Drainstrom | 300A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 3,5mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 700A | |
Verlustleistung | 695W | |
Technologie | HiPerFET™, X3-Class | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 375nC | |
Bereitschaftszeit | 172ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht29.47 g
Zertifikate
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* IXFN300N20X3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 48.52 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 57.74 USD