IXFN360N10T
Modul; einzelner Transistor; 100V; 360A; SOT227B; schraubbar; 830W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN360N10T
Symbol TME:
IXFN360N10T
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 100V | |
Drainstrom | 360A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 2,6mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 900A | |
Verlustleistung | 830W | |
Technologie | GigaMOS™, HiPerFET™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 525nC | |
Bereitschaftszeit | 130ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.9 g
Zertifikate
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* IXFN360N10TAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 stKarton = 60 st