IXFN360N10T
Modul; einzelner Transistor; 100V; 360A; SOT227B; schraubbar; 830W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN360N10T
Symbol TME:
IXFN360N10T
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 100V | ||
Drainstrom | 360A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 2,6mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 900A | ||
Verlustleistung | 830W | ||
Technologie | GigaMOS™, HiPerFET™ | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Ladung | 525nC | ||
Bereitschaftszeit | 130ns | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.9 g
Zertifikate
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* IXFN360N10TAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 stKarton = 60 st