IXFN36N100
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 36A; SOT227B; schraubbar; 694W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN36N100
Symbol TME:
IXFN36N100
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1kV | |
Drainstrom | 36A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,24Ω | |
Drainstrom im Impuls | 144A | |
Verlustleistung | 694W | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 380nC | |
Bereitschaftszeit | 180ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.27 g
Zertifikate
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* IXFN36N100Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st