IXFN38N100P
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 38A; SOT227B; schraubbar; 1000W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN38N100P
Symbol TME:
IXFN38N100P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1kV | |
Drainstrom | 38A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,21Ω | |
Drainstrom im Impuls | 120A | |
Verlustleistung | 1kW | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 0,35µC | |
Bereitschaftszeit | 300ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.24 g
Zertifikate
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Verpackungsmethode durch den Hersteller:Rohr = 10 st