+1 500 000 Produkte im Angebot

6000 Pakete jeden Tag

+300 000 Kunden aus 150 Ländern

Rufen Sie an: +49 341 2120340

Wir informieren Sie, dass am 12.07.2026. um 08:00 -11:00 (CEST) einige Probleme beim Zugriff auf unserer Webseite und bei Online-Bestellung aufkommen können. Wir entschuldigen uns für mögliche Unannehmlichkeiten.

Daten werden verarbeitet

Ihr Kreditlimit wurde überschritten. Die Bestellung wird angenommen, jedoch nicht realisiert. Der Lieferzeitplan für die bestellten Artikel wird ebenfalls nicht festgelegt. Setzen Sie sich bitte mit einem TME-Mitarbeiter in Verbindung.

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	38A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	0,21Ω
Drainstrom im Impuls	120A
Verlustleistung	1kW
Technologie	HiPerFET™, Polar™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	0,35µC
Bereitschaftszeit	300ns
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN38N100P

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 38A; SOT227B; schraubbar; 1000W

Technische Daten