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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	150V
Drainstrom	400A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	2,5mΩ
Drainstrom im Impuls	900A
Verlustleistung	695W
Technologie	HiPerFET™, X3-Class
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	365nC
Bereitschaftszeit	132ns
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN400N15X3

Modul; einzelner Transistor; 150V; 400A; SOT227B; schraubbar; 695W

Technische Daten