IXFN44N80P
Modul; einzelner Transistor; 800V; 39A; SOT227B; schraubbar; 694W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN44N80P
Symbol TME:
IXFN44N80P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 800V | ||
Drainstrom | 39A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,19Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 100A | ||
Verlustleistung | 694W | ||
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Ladung | 200nC | ||
Bereitschaftszeit | 250ns | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.31 g
Zertifikate
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* IXFN44N80PAnzahl Stück (Vielfache: 300)
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Nettopreis für Mengen von 300 st - 25.03 USDBruttopreis für Mengen von 300 st - 29.79 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st