IXFN62N80Q3
Modul; einzelner Transistor; 800V; 49A; SOT227B; schraubbar; 960W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN62N80Q3
Symbol TME:
IXFN62N80Q3
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 800V | |
Drainstrom | 49A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,14Ω | |
Drainstrom im Impuls | 180A | |
Verlustleistung | 960W | |
Technologie | HiPerFET™, Q3-Class | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 0,27µC | |
Bereitschaftszeit | 300ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.08 g
Zertifikate
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* IXFN62N80Q3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st