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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	65A
Gehäuse	SOT227B
Widerstand im Leitungszustand	89mΩ
Verlustleistung	1,2kW
Technologie	HiPerFET™
Bereitschaftszeit	310ns
Mechanische Montage	schraubbar

IXFN70N100X

Modul; 1kV; 65A; SOT227B; 1,2kW; HiPerFET™; 310ns; schraubbar

Technische Daten