IXG70IF1200NA
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 86A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXG70IF1200NA
Symbol TME:
IXG70IF1200NA
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 86A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Technologie | X2PT | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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* IXG70IF1200NAAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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