IXTH36N50P
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO247-3; 400ns
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTH36N50P
Symbol TME:
IXTH36N50P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 500V | |
Drainstrom | 36A | |
Verlustleistung | 540W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,17Ω | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 82nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | standard power mosfet | |
Bereitschaftszeit | 400ns |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
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* IXTH36N50PAnzahl Stück (Vielfache: 300)
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