IXTH36P10
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36A; 180W; TO247-3; 180ns
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTH36P10
Symbol TME:
IXTH36P10
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Transistor-Typ | P-MOSFET | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | -100V | |
Drainstrom | -36A | |
Verlustleistung | 180W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Widerstand im Leitungszustand | 75mΩ | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 95nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Bereitschaftszeit | 180ns |
Bruttogewicht6 g
Zertifikate
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* IXTH36P10Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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