IXTH36P15P
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO247-3
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTH36P15P
Symbol TME:
IXTH36P15P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Transistor-Typ | P-MOSFET | |
Technologie | PolarP™ | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | -150V | |
Drainstrom | -36A | |
Verlustleistung | 300W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,11Ω | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 55nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Bereitschaftszeit | 228ns |
Bruttogewicht6.23 g
Zertifikate
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* IXTH36P15PAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st