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IXTH36P15P

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO247-3

Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
IXTH36P15P
Symbol TME:
IXTH36P15P

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Transistor-Typ
P-MOSFET
Technologie
PolarP™
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
-150V
Drainstrom
-36A
Verlustleistung
300W
Gehäuse
TO247-3
Gate-Source Spannung
±20V
Widerstand im Leitungszustand
0,11Ω
Montage
THT
Gate-Ladung
55nC
Verpackungs-Art
Tube
Kanal-Art
anreicherungs
Bereitschaftszeit
228ns
Bruttogewicht6.23 g
Zertifikate
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IXTH36P15P
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st