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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	55V
Drainstrom	550A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	1,3mΩ
Drainstrom im Impuls	1,65kA
Verlustleistung	940W
Technologie	GigaMOS™, TrenchT2™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	595nC
Bereitschaftszeit	100ns
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

IXTN550N055T2

Modul; einzelner Transistor; 55V; 550A; SOT227B; schraubbar; 940W

Technische Daten