IXXN200N60B3H1
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXXN200N60B3H1
Symbol TME:
IXXN200N60B3H1
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 0,6kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 98A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 1kA | |
Verlustleistung | 780W | |
Technologie | GenX3™, XPT™ | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* IXXN200N60B3H1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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