IXYN110N120C4
Modul: Bipolartransistor, MOSFET; Ic: 110A; SOT227B; 830W; GenX4™
NEUHEIT
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXYN110N120C4
Symbol TME:
IXYN110N120C4
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Kollektor-Emitter-Strom | 110A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 760A | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1,2kV | |
Verlustleistung | 830W | |
Technologie | GenX4™ | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* IXYN110N120C4Anzahl Stück (Vielfache: 300)
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