IXYN82N120C3
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 46A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXYN82N120C3
Symbol TME:
IXYN82N120C3
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 46A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 380A | ||
Verlustleistung | 600W | ||
Technologie | GenX3™, XPT™ | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* IXYN82N120C3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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