IXYN85N120C4H1
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 85A; SOT227B
NEUHEIT
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXYN85N120C4H1
Symbol TME:
IXYN85N120C4H1
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 85A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 420A | |
Verlustleistung | 600W | |
Technologie | GenX4™, XPT™ | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module IXYS,
* IXYN85N120C4H1Anzahl Stück (Vielfache: 300)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 300 st - 26.83 USDBruttopreis für Mengen von 300 st - 31.92 USD