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MAP6KE33CAE3

Diode: TVS; 31,4V; Bidirektional; 0,6kW; Ch: 1; -65÷150°C

NEUHEIT

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
MAP6KE33CAE3
Symbol TME:
MAP6KE33CAE3

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Dioden-Typ
TVS
Rückspannung max.
28,2V
Durchbruchspannung
31,4V
Struktur des Halbleiters
Bidirektional
Montage
THT
Verlustleistung pro Impuls max.
0,6kW
Anzahl Kanäle
1
Betriebstemperatur
-65...150°C
Bruttogewicht0.62 g
Zertifikate

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