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MG06100S-BN4MM

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V

Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
MG06100S-BN4MM
Symbol TME:
MG06100S-BN4MM

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Topologie
IGBT Halbbrücke
Rückspannung max.
0,6kV
Kollektor-Emitter-Strom
100A
Gehäuse
package S
Elektrische Montage
schraubbar, Steckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
200A
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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