MG12150W-XN2MM
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MG12150W-XN2MM
Symbol TME:
MG12150W-XN2MM
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | 3-phasen Brücke IGBT, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 150A | |
Gehäuse | package W | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 300A | |
Technologie | Field Stop, Trench | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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* MG12150W-XN2MMAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 344.68 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 410.17 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 309.75 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 368.60 USD
Nettopreis für Mengen von 5 st - 273.65 USDBruttopreis für Mengen von 5 st - 325.64 USD