MG12300D-BN2MM
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MG12300D-BN2MM
Symbol TME:
MG12300D-BN2MM
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT Halbbrücke | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 300A | |
Gehäuse | Y3-DCB | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 600A | |
Technologie | Field Stop, Trench | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module IXYS,
* MG12300D-BN2MMAnzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 267.00 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 317.73 EUR
Nettopreis für Mengen von 3 st - 240.00 EURBruttopreis für Mengen von 3 st - 285.60 EUR
Nettopreis für Mengen von 5 st - 212.00 EURBruttopreis für Mengen von 5 st - 252.28 EUR