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MG1750S-BN4MM

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,7kV


Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
MG1750S-BN4MM
Symbol TME:
MG1750S-BN4MM

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Topologie
IGBT Halbbrücke
Rückspannung max.
1,7kV
Kollektor-Emitter-Strom
50A
Gehäuse
Y4-M5
Elektrische Montage
schraubbar, Steckverbinder FASTON
Technologie
Field Stop, Trench
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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